lahustunud aatomite suurenenud kontsentratsioon kristalli defektidel, nt nagu vabapinnad, terapiir, kontaktpind, pakkeviga, dislokatsioon (vt terapiir, kontaktpind)
increased concentration of solute atoms at crystal defects such as free surfaces, grain boundary, interface, stacking fault, or dislocation (see: grain boundary, interface)
На странице корпусного менеджера SkELL пользователь может познакомиться с контекстами употребления и с распространёнными сочетаниями слова, а также с синонимами и другими близкими по значению словами. Данные выбраны компьютером aвтомaтически и могут содержать ошибки.