moderate-temperature chemical vapor deposition, medium-temperature CVD, MTCVD
keemiline aursadestuspindamisprotsess/-operatsioon, mis viiakse läbi temperatuurivahemikus 800-900 °C (vt keemiline aursadestus; vrd madalatemperatuurne CVD, plasmatoel CVD), chemical vapor deposition process at temperatures around 800-900 °C (see: chemical vapor deposition; compare: low-temperature CVD, plasma-assisted CVD), химическое осаждение из паровой фазы при температурах около 800-900 °C (см. химическое осаждение из паровой фазы)
