kõrgtemperatuurne keemiline aursadestus, kõrgtemperatuurne keemiline aursadestamine, kõrgtemperatuuriline keemiline aursadestus, kõrgtemperatuuriline keemiline aursadestamine, kõrgtemperatuuriline CVD
classic thermal vapor deposition, where for activating hydrogen, nitrogen or methane, they are provided thermally at temperature around 1000 °C (see: chemical vapor deposition), klassikaline keemiline aursadestusprotsess/-operatsioon, mille korral kasutatav vesinik, lämmastik või metaan aktiveeritakse temperatuuril üle 1000 °C (vt keemiline aursadestus), процесс (операция) химического осаждения из паровой фазы, в котором газ (H2, N2, CH4) активируется при температуре больше 1000 °C (см. химическое осаждение из паровой фазы)