a generic term applied to atomistic film deposition processes in which the substrate surface and/or the depositing film is subjected to a flux of high-energy particles (usually gas ions) sufficient to cause changes in the interfacial region or film properties (see: physical vapor deposition), atomaarsete kilesadestusprotsesside üldnimetus, mille korral atomaarne pindematerjal saadakse alusmaterjali/pinde kõrgenergeetiliste osakestega (nt. gaasiioonid) pommitamise teel, mis on võimeline kutsuma esile muutusi pinnakihis või kiles (vt füüsikaline aursadestus), разновидность физического осаждения из паровой фазы, в случае которой атомарный материал покрытия получают бомбардировкой поверхности катода ионами (напр. ионами аргона); выбитые атомы затем осаждают на поверхность изделия (см. бомбардировка атомами), общий термин, применяемый к процессам осаждения тонких плёнок, в которых на поверхность подложки и/или на осаждаемую плёнку воздействует поток частиц высокой энергии (обычно ионов газа), достаточный, чтобы вызвать изменения в межповерхностной области или в свойствах плёнки
