технология ионной имплантации, при которой осаждённые (электролитической металлизацией, катодным распылением) плёнки толщиной десятки или сотни нанометров перемешиваются и соединяются с подложкой бомбардировкой пучком ионов аргона или ксенона (см. ионная имплантация; ср. ионно-лучевое осаждение, ионно-лучевое распыление, ионно-плазменное осаждение), an ion implantation technique in which deposited layers (electroplating, sputtering) tens or hundreds of nanometers thick are mixed and bonded to the substrate by an argon or xenon ion beam (see: ion implantation; compare: ion beam assisted deposition, ion beam sputtering, plasma ion deposition), ioonimplantatsioonmeetod, mille korral pealekantud kümneid-sadu nanomeetreid paks kiht (galvaaniline, aatomsadestatud) segatakse ja seotakse alusmaterjaliga argooni või ksenooni ioonide vooga (vt ioonimplantatsioon; vrd ioonkiirtoetatud sadestus, ioonkiiratomisatsioon, ioonplasmasadestus)
