keemiline aursadestuspindamisprotsess/-operatsioon (CVD), mille korral gaasiliste lähteproduktide lagunemine toimub aluspinna läheduses genereeritavas plasmas; tahked reaktsiooniproduktid sadestatakse aluspinnale (vt keemiline aursadetus; vrd madalatemperatuurne CVD, mõõdukatemperatuurne CVD), a chemical vapor deposition (CVD) process that uses low-pressure low-discharge plasmas to promote the chemical deposition reactions (see: chemical vapor deposition; compare: low-temperature CVD, medium-temperature CVD), технология химического осаждения из паровой фазы, в которой, чтобы способствовать реакциям химического осаждения, применяется малоразрядная плазма низкого давления (см. химическое осаждение из паровой фазы)