low-temperature chemical vapor deposition, low-temperature CVD
keemiline aursadestus, mis viiakse läbi temperatuurivahemikus 800-900 °C (vt keemiline aursadestus; vrd mõõdukatemperatuurne CVD, plasmatoel CVD), chemical vapor deposition operated at temperature between 800 and 900 °C (see: chemical vapor deposition; compare: moderate-temperature CVD, plasma-assisted CVD), химическое осаждение из паровой фазы, которое проводится при температурах от 800 до 900 °C (см. химическое осаждение из паровой фазы)
