an ion implantation technique in which an ion beam of argon or xenon directed at a target sputters material from the target to a substrate; the sputtered material arrives at the substrate with enough energy to promote good adhesion of the coating to substrate (see: ion implantation; compare: ion beam assisted deposition, ion beam mixing, plasma ion deposition), ioonpindamismeetod, mille korral märklauale suunatud argooni või ksenooni ioonkiirte vooga atomiseeritud materjal suunatakse alusmaterjalile; viimaste küllaldasest energiast tingituna saadakse pinde hea adhesioon alusmaterjaliga (vt ioonimplantatsioon; vrd ioonkiirtoetatud sadestus, ioonkiirsegamine, ionplasmasadestus)