keemiline aursadestus, keemiline aursadestamine, keemiline aurustussadestuspindamine, keemiline aursadestuspindamine, CVD pindamine
gaassüsinikrikastamisele ja nitrosüsinikrikastamisele sarnane pindamisprotsess, kus töökambrisse juhitud reaktiivgaaas laguneb detaili pinnal; gaaside segu ja kuumutatud materjali koosmõjul tekkinud keemiliste ühendite sadestamisel toote pinnale moodustub õhuke pinne (vt aursadestus, madalatemperatuurne CVD, mõõdukatemperatuurne CVD, plasmatoel CVD; vrd füüsikaline aursadestus), a coating process similar to gas carburizing and nitrocarburizing whereby a react atmosphere gas fed into process chamber where it decompose at the surface of workpiece; in the result of substrate reaction formed chemical compounds deposite onto the substrate forming thin layer (see: vapor deposition, low-temperature CVD, medium-temperature CVD, plasma-assisted CVD; compare: physical vapor deposition), метод получения покрытий, при котором при осаждении химических соединений, синтезированных при контакте газовой смеси с нагретым материалом, образуется тонкое (до 20–30 мкм) покрытие (см. газофазное осаждение; ср. физическое осаждение из газовой фазы)